Background
研究背景
ワイドギャップ半導体
当研究室では、ワイドギャップ半導体の気相成長に関する研究に取り組んでいます。
ワイドギャップ半導体とは、
III族窒化物半導体結晶の成長法
近年の震災、原発事故を契機として、ますます社会からの省電力、省エネルギーに対する要請が高まってきている。次世代の光電子デバイス実現、さらには低炭素社会構築のためのキーマテリアルの一つである窒化物半導体は、そのバンドギャップがInNの0.65eV(波長1900nm)からGaNの3.4eV(波長365nm)、AlNの6.2eV(波長200nm)の幅広い領域をカバーすることから、それらの混晶半導体の作製により、可視光全域を含む深紫外から近赤外域の受光発光デバイスに大変重要な材料といえる。最近では、効率は低いものの282nmの殺菌用として使える領域から210nmの窒化物半導体での最短波長の発光ダイオード(LED)が実証され、また可視光領域では534nmの緑色レーザダイオード(LD)の発振が報告されている。
